輸入紋波抑制

在可變頻率反激變換器中使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管

充電器廠家給大家分享MOSFET有效的額定電壓典型值只達(dá)到800V，因此在離線反激變換器中的使用受到一些限制。

對(duì)于220V電路，或?qū)τ谑褂帽秹杭夹g(shù)的雙輸入電壓電路，其最大的整流直流電壓V接近380V。由于反激過電壓通常至少是該值的兩倍，使用800V功率MOSFET時(shí)其安全裕量不足。

然而目前更高電壓的MOSFET元器件已經(jīng)以具有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格出現(xiàn)在市場(chǎng)上，并且使用MOSFET并使反激電路工作于較高的頻率有很多優(yōu)勢(shì)。這樣可減小繞線元件的尺寸和輸出電容器。圖給出了對(duì)較低電壓的功率MOSFET可以減小過電壓的更合適的電路。

LED燈電源適配器輸入紋波抑制

對(duì)于固定頻率，完全能量傳遞（不連續(xù)模式）反激變換器，電流型控制也提供了自動(dòng)輸入紋波抑制。

如果變換器輸入電壓變化，集電極電壓的斜率及發(fā)射極電壓也變化。例如，如果輸入紋波電壓的上升沿引起集電極輸入電壓開始上升，則集電極和發(fā)射極電流的斜率也增加結(jié)果電流在短期內(nèi)達(dá)到峰值，導(dǎo)通脈沖寬度在不須任何控制信號(hào)變化的情況下自動(dòng)地減小。由于原邊電流峰值保持常值，轉(zhuǎn)換的功率和輸出電壓也將保持不變（不考慮輸入電壓的變化）。因此無需控制電路的任何作用，輸出電壓便可抑制輸入瞬間電壓的變化和紋波電壓。

通過考慮每個(gè)周期的輸入能量可進(jìn)一步證明該效果。由于該電路工作于完全能量傳遞模式，導(dǎo)通結(jié)束時(shí)的能量是

式中，Lp=原邊電感；

lp=原邊電流峰值。

由于Lp和電流峰值Ip保持不變，轉(zhuǎn)換的功率也保持不變。就像對(duì)脈沖做出響應(yīng)，該作用非?？?，具有良好的輸入瞬態(tài)抑制性能。

更嚴(yán)格的測(cè)試揭示了在頻率不穩(wěn)的二階自激振蕩系統(tǒng)中存在下降的二階效應(yīng)這一事實(shí)，該作用是由于工作頻率隨著輸入電壓增加也增加而引起的，這種頻率變化削弱了紋波抑制?？墒怯捎陬l率的增加僅導(dǎo)致少量的輸入功率增加，故該影響非常小。在圖2。6。4所示電路中，由于基極驅(qū)動(dòng)和跟蹤輸人變化的輔助電壓的變化，該影響可通過R，中驅(qū)動(dòng)電流成分的增加和R中電流的增加得到補(bǔ)償。當(dāng)強(qiáng)制驅(qū)動(dòng)比接近1：10時(shí)，該補(bǔ)償是最佳的