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開關(guān)電源波形產(chǎn)生原理分析

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開關(guān)電源波形產(chǎn)生原理分析

電源適配器生產(chǎn)廠家今天分享第①個(gè)點(diǎn)波形產(chǎn)生的原因:
第①個(gè)點(diǎn)就是傳說中的米勒效應(yīng)平臺(tái),
再上個(gè)MOS管的圖:三個(gè)電容分別為MOS的結(jié)電容,這里不多說。在MOS導(dǎo)通的瞬間,會(huì)經(jīng)過米勒效應(yīng)區(qū)(可理解為放大區(qū)),輸入電容Cgs=C1+C2,此時(shí)的C1不再是靜態(tài)的電容,而是C1=Cdg(1+A),A是放大系數(shù)。當(dāng)驅(qū)動(dòng)電流(Ig=Cgs*dVds/dt)給Cgs充電時(shí),由于米勒效應(yīng)等效到輸入端的電容會(huì)放大N倍,輸入電容突然增大,所以導(dǎo)致了充電電壓的一個(gè)平臺(tái),有時(shí)甚至?xí)幸粋€(gè)下降尖峰趨勢平臺(tái)(如上圖),而這個(gè)平臺(tái)增加了MOS的導(dǎo)通時(shí)間,造成了我們通常所說的導(dǎo)通損耗。

其實(shí)米勒效應(yīng)描述的就是電子器件中輸出和輸入之間的電容反饋。

開關(guān)電源


LED顯示屏開關(guān)電源波形產(chǎn)生原理分析

其實(shí)對(duì)于第③點(diǎn)波形的分析我自己覺得我的分析還不是很有說服力,所以借此和大家探討第③點(diǎn)波形(為什么會(huì)有負(fù)電流產(chǎn)生?),希望大家不要吝嗇自己獨(dú)到的見解。晚上有時(shí)間上傳本人②④波形的分析。



上面的實(shí)測波形就是普通的反激式,電流采樣電阻就是接在MOS的S腳。
畫個(gè)大概的原理圖,這個(gè)相信大家都做過。

LED工業(yè)電源波形產(chǎn)生原理分析

LED工業(yè)電源


上圖中,Ls為漏感,Lm為激磁電感,Cs為分布電容,Cd和Cds分別為肖特基和MOS的結(jié)電容。
下面分析②點(diǎn)電流尖峰波形產(chǎn)生的原因:
在開關(guān)導(dǎo)通之前,輸入電壓和電感的感應(yīng)電動(dòng)勢對(duì)結(jié)電容Cds和分布電容Cs進(jìn)行了充電,
在Q1接通的瞬間,Cs和Cds瞬間放電,產(chǎn)生電流(①路線和③路線)疊加到MOS管。
如果是反激的話,次級(jí)關(guān)斷,D1由于結(jié)電容產(chǎn)生反向恢復(fù)電流,經(jīng)過線圈反射到初級(jí),
如上圖的②路線。如果是DCM模式,由于二極管中在MOS導(dǎo)通前已經(jīng)沒有電流存在了,
所以在DCM中這部分尖峰電流沒有。
總結(jié)一下:就是由上面的①②③個(gè)通路產(chǎn)生了開通瞬間的那個(gè)電流尖峰。



實(shí)際探頭接的就是MOS的S腳和GND,能量通過MOS,為什么電流不到S腳!電流到了S腳,自然有一部分電流通過采樣電阻。
第二個(gè)問題的確是筆誤,CCM模式下才會(huì)有那個(gè)反向恢復(fù)電流。
上個(gè)圖大家就明白了:


開關(guān)電源廠家
我說一下我的見解,現(xiàn)在有一種很熱的ZVS技術(shù),即零電壓開關(guān),在LCD中用的很多。
為什么這種技術(shù)會(huì)誕生,就是為了解決MOS的開通損耗,
為什么會(huì)有開通損耗呢,那就是因?yàn)镸OS的結(jié)電容,
為什么MOS的結(jié)電容會(huì)造成損耗呢,就是像第①點(diǎn)波形的分析過程,增加了開關(guān)導(dǎo)通時(shí)間,(關(guān)于MOS的損耗問題大家請(qǐng)參考《精通開關(guān)電源設(shè)計(jì)》書籍)。
所以說,新的技術(shù)要誕生,就要知道舊的技術(shù)的不足之處根本在哪!



你的說了是阻尼振蕩了,所以那個(gè)波形的幅度離Vin+Vor肯定是越來越遠(yuǎn)啊。只有個(gè)類似正弦波的峰值可以達(dá)到Vin+Vor.

其實(shí)還有一個(gè)波形沒有分析,就是Vds上的個(gè)電壓尖峰,這個(gè)波形相信大家都比較熟悉,跟上面那個(gè)分析方法類似,如有不明白再問。

好了,就剩第③點(diǎn)波形了,通過上面的三個(gè)波形分析,電源適配器生產(chǎn)廠家希望各位能人能發(fā)表自己對(duì)那個(gè)負(fù)電流的見解?


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| 發(fā)布時(shí)間:2017.05.04    來源:東莞市玖琪實(shí)業(yè)有限公司
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