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電源適配器元器件選型

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電源適配器元器件選型

112V電源適配器保險絲。 
If=Iav/0.6*2（0.6為不帶PFC） 
=0.198/0.6*2 
=0.66A 
電壓 額定輸出電壓90-240V 250V的保險絲即可。
2壓敏電阻：V1ma=a*Vinmax/b/c
=1.2*374/0.85/0.9 
=487.9V 
a：電壓波動系數(shù)1.2 
b：壓敏誤差系數(shù)0.85
c：壓敏老化系數(shù) 0.9 
浪涌波形發(fā)生器對外輸出有2歐的電阻，打1KV差模浪涌時流通容量：1000/2*2=1000A
3輸入大電容
2Po=C=18*2=36uF 故此選擇33uF電容
如電容選小了會發(fā)生如下情況：
1、紋波電流大會使電容發(fā)熱。
2、無法滿足維持輸出功率的能量導致帶不起載。
3、低頻紋波大。
4、在滿足容量的情況下，盡可能的前面放一個小電容后面放一顆大電容，對0.5M前的EMI有很好的效果。
這里注意電容越大MOS的溫度會降低
4X電容
輸入2pin為2類，輸入3pin為1類，2類加強絕緣，1類基本絕緣。2類選擇X2電容，容量越大傳導效果越好，安規(guī)規(guī)定X電容超過0.1uF需要加釋放電阻，保證輸入斷電1S內(nèi)降到安全電壓，輸入峰值電壓的37%
0.65*R*Cx=1  如Cx0.22uF
R=1/0.65/0.22=7Mmax  Cx：uF  R單位M
R=1/0.65/0.22=7M max  我們選擇R1A 1M R1B 2M 這里還要注意耐壓我們選擇2顆1206貼片電阻
因其他放電回路X電容漏電流這些因數(shù)所以最好實測調(diào)試。
5Y電容：
根據(jù)初級峰值電壓選取Y1，Y1參數(shù)交流額定工作電壓250V 直流額定工作電壓400V
二類產(chǎn)品漏電流小于0.25mA
CY=Ileakage/2/π/?/Vrmsmax=0.25/2/3.14/60/264*10-6=2.5nFmax
可以選擇不超過2500pF的電容 我們先選擇222/400V的，也可以選擇2個Y2串聯(lián)，電容串聯(lián)容量減半，并聯(lián)疊加。
不要超過2500pF 具體選擇根據(jù)EMI實際情況選擇
6濾波電感
共模電感差模電感，理論上電感越大EMI效果越好，但是差模電感大電感帶來的是匝數(shù)多，分布電容大，可能會適得其反。
這里我一直按照個人經(jīng)驗，先選個20mH的感量（傳導不過的情況下再試著加大感量） 線徑Dp=0.3*0.7=0.21mm
7橋堆選擇12V電源適配器
Vd=2√2*Vinmax=2*Vinmax=747V
加470V壓敏防雷擊后其殘壓越800V左右*1.1（它表示在規(guī)定的沖擊電流Ip通過壓敏電阻器兩端所產(chǎn)生的電壓此電壓又稱為殘壓，所以選用的壓敏電阻的殘壓一定要小于被保護物的耐壓水平。）
Vd=775*1.1=852.5V 471最大殘壓775V
BR1=5*Iav=5*0.198=0.99A
選擇1A1KV
8RCD吸收
網(wǎng)上很多計算方法，我也看了很多實驗了很多，我覺得算的沒有意義太繁瑣結果頁不是很滿意，先采取典型電路配置，個人更喜歡150K電阻，102的電容，加一顆慢管。
電阻電容具體這么選擇呢我覺得還是調(diào)試把效率和Vds調(diào)整到一個合適的平衡，二極管，我看過其他人先的文章說的都有道理，所以我一般能過輻射即可，這里注意滿足有異音和這個管子及電容有關系。

電源適配器廠家對于小功率推三極管的盡量還是選慢管可以減小MOS關閉時的震蕩頻率。

OEM代加工電源適配器

9CS電阻
Vcs<Rcs*Ipk Vcs=Rcs*Ipk*1.2
VCS盡量取低一點避免飽和對充電設備來說恒流更精準，這里注意我有碰過一些IC老化后OCP下降滿載掉電壓，所以要多試驗多驗證。
10VCC電容
大了起機速度慢，小了在滿載轉(zhuǎn)空載會出現(xiàn)饋電的情況，最嚴重的滿載轉(zhuǎn)空載，VCC進入欠壓保護。這里講一個經(jīng)驗，國產(chǎn)的芯片ESD做的不是太好所以畫板時盡量Vcc電容靠近Vcc腳，所有的低單點接地。

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| 發(fā)布時間：2017.10.24    來源：12V電源適配器
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